Nhãn và đánh dấu cơ thể của NCV1413BDR2G có thể được cung cấp sau khi đặt hàng.
Trong kho: 59255
Chúng tôi đang dự trữ nhà phân phối NCV1413BDR2G với giá rất cạnh tranh.Kiểm tra NCV1413BDR2G Pirce mới nhất, hàng tồn kho và thời gian dẫn ngay bây giờ bằng cách sử dụng biểu mẫu RFQ nhanh.Cam kết của chúng tôi về chất lượng và tính xác thực của NCV1413BDR2G là không ngừng và chúng tôi đã thực hiện các quy trình kiểm tra và phân phối chất lượng nghiêm ngặt để đảm bảo tính toàn vẹn của NCV1413BDR2G.Bạn cũng có thể tìm thấy biểu dữ liệu NCV1413BDR2G ở đây.
Các thành phần mạch tích hợp bao bì tiêu chuẩn NCV1413BDR2G
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
---|---|
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Loại bóng bán dẫn | 7 NPN Darlington |
Gói thiết bị nhà cung cấp | 16-SOIC |
Loạt | - |
Power - Max | - |
Bao bì | Cut Tape (CT) |
Gói / Case | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vài cái tên khác | NCV1413BDR2GOSCT |
Nhiệt độ hoạt động | 150°C (TJ) |
gắn Loại | Surface Mount |
Độ nhạy độ ẩm (MSL) | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất | 30 Weeks |
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tần số - Transition | - |
miêu tả cụ thể | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE | 1000 @ 350mA, 2V |
Hiện tại - Collector Cutoff (Max) | - |
Hiện tại - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Số phần cơ sở | NCV1413 |